（通讯员 李敏）
● 年产8英寸IGBT芯片12万片、IGBT模块100万只，填补国内技术空白
● 国内唯一掌握IGBT芯片设计—芯片制造—模块封装与测试—系统应用完整产业链
● 在海外设立研发中心，布局高压IGBT芯片技术研究和新一代IGBT器件开发
5月25日，中国南车大功率IGBT产业化基地奠基，标志着我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。项目设计年产8英寸芯片12万片、IGBT模块100万只，中国南车成为国内唯一掌握IGBT芯片设计—芯片制造—模块封装—系统应用完整产业链企业，填补了国内相关技术领域的空白。
IGBT（新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管）是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、电力电子、新能源汽车等战略性产业领域，是节能技术和低碳经济的主要支撑，被业界誉为功率变流装置的CPU、绿色经济的核芯。目前国内IGBT的主要供应商为外国厂商，为支持我国企业技术突围，IGBT成为国家产业政策重点支持和扶植的重大科技项目。相关研究机构指出，在IGBT这个以技术为门槛的行业中，谁掌握了技术，谁就掌握了市场。
中国南车大功率IGBT产业化基地建设项目，由中国南车株洲所具体实施，项目总投资14亿元，占地160亩，预计2014年正式投产。建成后，该基地将具备年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只大功率IGBT器件的能力，年产值超过25亿元，其产业规模和技术实力均超过国内已有水平，达到国际领先水平（目前世界主流IGBT芯片生产线为6英寸）。届时，中国南车将完全自主实现电力电子器件技术及产业跨越式发展，跻身世界大功率IGBT器件技术及产业化一流梯队。
由于IGBT生产对制造环境要求非常苛刻，该产业化基地配置了5000平方米的高标准净化厂房,配套设施如空气净化系统、湿温度控制系统、纯水处理系统都将采用世界一流的技术装备。基地引进国际一流的生产工艺，配套IGBT芯片制造、封装测试、可靠性试验全套设备，形成集IGBT产品设计、芯片制造、模块封装测试、可靠性试验、系统应用等成套技术的研究、开发及产品制造于一体，自动化、专业化和规模化程度领先的大功率IGBT产业化基地。
中国南车大功率IGBT产业化基地除建设一条国际领先的8英寸IGBT芯片生产线外，还将建设9条满足不同行业用的IGBT模块生产线。产品电压等级从600伏到6500伏，满足轨道交通以及电动汽车、风力发电、太阳能发电、智能电网、高压变频、工业传动等多个行业需求，成为我国首个完全依靠自主能力建设的、设计规模最大、技术实力最强、产品型谱最全的大功率IGBT产业化基地，改变核心技术受制于人，产品依赖进口的不利局面，为建设资源节约型和环境友好型社会，促进国民经济快速健康发展做出重要贡献。
中国南车IGBT技术研发，产品设计、制造与销售都面向全球布局。2010年，中国南车在海外成立功率半导体研发中心，负责承担电力电子器件中长期战略项目和重大项目的技术跟踪、研究和开发，专门从事高压IGBT芯片技术研究和新一代IGBT器件开发，支撑并引领公司大功率半导体器件产业的可持续发展，缩短与国际最先进水平的差距。
早在十一五，中国南车就在国内率先启动高压IGBT元件研制，并先后获得国家多项科研经费支持。2009年，中国南车在株洲所建立了国内第一条小批量大功率IGBT模块封装线，目前自主生产的大功率IGBT器件已在国内部分地铁及机车上装车试运营，产品性能同等于国外产品。
据悉，轨道交通、新能源、电动汽车等绿色经济产业在未来十年甚至更长的时间里将保持每年20-30%的高速增长，发展绿色经济成为全球各个主要经济体的共识。作为绿色经济的功率核芯，IGBT市场发展前景光明。
